Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов

компьютерный программа полупроводниковый моделирование

В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводниковых приборов. Эта работа фактически позволяет заменить существующие лабораторные работы их компьютерными аналогами, а широкая база имеющихся библиотек электронных компонентов - существенно разнообразить учебные исследования. Имеющиеся библиотеки электронных компонентов позволили даже вернуться к изучению таких приборов как, например варисторы, термисторы, а также добавить к уже существующим в учебном классе лабораторным работам исследования IGBT транзисторов, однопереходных транзисторов и т.д.

Особо стоит отметить то, что впервые с учебной целью было осуществлено цифро-аналоговое моделирование электронных схем, в частности разработана схема характериографа исследования биполярного транзистора как n-p-n, так и p-n-p структуры.

В работе приводится описания схем и режимов моделирования, основных статических и динамических характеристик нелинейных полупроводниковых приборов.

• Схемы исследования биполярного транзистора методом характериографа
• Схема на основе синхронного 4-разрядного двоичного счетчика с двойной синхронизацией К155ИЕ5 (74193)
• Схема на основе аналогового коммутатора К590КН6
• Моделирование характеристик биполярных транзисторов
• Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером
• Частотные характеристики
• Импульсные характеристики
• Режимные зависимости усилительных свойств транзистора
• Режимные зависимости динамических свойств транзистора
• Моделирование характеристик транзистора Дарлингтона
• Моделирование характеристик однопереходного транзистора
• Моделирование характеристик тиристоров
• МДП полевые транзисторы
• Полевые транзисторы с p-n переходом в качестве затвора
• Моделирование характеристик IGBT транзистора
• Моделирование характеристик диодов
• Динамические характеристики диода
• Ёмкостные свойства диода
• Стабилитрон как формирователь прямоугольных импульсов
• Моделирование характеристик варикапа
• Моделирование характеристик диффузионного резистора
• Моделирование характеристик транзисторной оптопары
• Моделирование характеристик фотоэлемента
• Моделирование характеристик варистора
• Моделирование характеристик термистора

Читайте также

Проектирование релейной защиты и автоматики
В электрической системе имеются следующие источники: ТЭЦ-1, ТЭЦ-2, ТЭЦ-3, ТЭЦ-4, ТЭЦ-5, ГРЭС, СарГЭС и БАЭС. ТЭЦ-1, ГРЭС допускается отдельно не учитывать, так как их мощность по сравнению с ...

Разработка макета для исследования металлических проводниковых материалов
Автоматизация производства процесс в развитии машинного производства, при котором часть или весь комплекс операций по качественному преобразованию состояния исходного сырья, управлению ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...