Моделирование характеристик IGBT транзистора

Биполярные транзисторы с изолированным затвором являются типом транзистора, который появился сравнительно недавно. Его входные характеристики подобны входным характеристикам полевого транзистора, а выходные - выходным характеристикам биполярного.

Рис. 69. IGBT транзистор в разрезе

В литературе этот прибор называют IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). По быстродействию они значительно превосходят биполярные транзисторы. Чаще всего IGBT-транзисторы используют в качестве мощных ключей, у которых время включения 0,2 - 0,4 мкс, а время выключения 0,2 - 1,5 мкс, коммутируемые напряжения достигают 3,5 кВ, а токи 1200 А.

Рис. 70. Схема для моделирования характеристик IGBT транзистора

Выходная характеристика

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V2 0 100 0.1

.STEP V_V1 LIST 0 2 4 6 8 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 71. График зависимости тока коллектора от напряжения на коллекторе IGBT транзистора при различных напряжениях на затворе

Видно, что график выходной ВАХ транзистора начинается не из начала координат, а при напряжении на коллекторе, превышающем пороговое напряжение.

Характеристика передачи

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 10 0.1

+ V_V2 LIST 5 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 72. График зависимости тока коллектора от напряжения на базе IGBT транзистора при двух различных напряжениях на коллекторе

Из данного графика видно, что пороговое напряжение для этого IGBT транзистора примерно составляет 3.5 В.

Температурная зависимость характеристики передачи

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 10 0.1

+ V_V2 LIST 5 10

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 73. Температурная зависимость тока коллектора от напряжения на базе IGBT транзистора при двух различных напряжениях на коллекторе

С ростом температуры увеличивается коэффициент усиления биполярного транзистора, что приводит к росту тока коллектора. Это связано с увеличением времени жизни неосновных носителей зарядов.

Читайте также

Программно-аппаратный комплекс, позволяющий проводить эксперименты по одновременному управлению несколькими мобильными объектами
В настоящее время в области искусственного интеллекта (ИИ) происходят заметные преобразования. Источниками этих преобразований служат распределенный искусственный интеллект (РИИ), центра ...

Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом. Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно реализуется ...

Проектирование цифрового устройства для реализации типовых микроопераций
Разработать функциональную и принципиальную схему операционного устройства исходя из основных параметров по вариантам. Также требуется предоставить блок схемы алгоритмов выполнения опе ...

Основные разделы

Все права защищены! (с)2020 - www.generallytech.ru