Динамические характеристики диода

На гармоническом сигнале

Рис. 79. Схема моделирования зависимости тока диода от частоты и температуры.

Временная зависимость тока через диод

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u

.STEP PARAM qwe LIST 1 5 10 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 80. Временная зависимость тока через диод от амплитуды выпрямляемого напряжения

С ростом амплитуды выпрямляемого напряжения увеличивается инжектированный в базу диода заряд, на рассасывание которого требуется больше времени, поэтому с ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается время восстановления обратного сопротивления диода.

Зависимость динамических свойств диода от температуры

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.01u 0 0.0001u

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 81. Влияние температуры на динамические свойства диода

Так как с ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, то увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.

На импульсном сигнале

Рис. 82. Схема моделирования переключательных свойств диода

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns

.STEP PARAM qwe LIST 1 3 5

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 83. Временные зависимости тока диода при подаче прямоугольного импульса напряжения

С ростом амплитуды прямого напряжения увеличивается как амплитуда прямого тока, так и время рассасывания накопленного заряда, т.е. снижается быстродействие диода.

Температурный анализ импульсных свойств диода

Параметры моделирования:

.TRAN 0 0.45ns 0 0.0001ns

.TEMP -60 27 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 84. Ток диода при различных температурах

С ростом температуры увеличивается время жизни неосновных носителей, заряда инжектированных в базу диода, поэтому увеличивается и время восстановления обратного сопротивления диода. С ростом частоты и температуры ухудшаются динамические свойства диода.

Читайте также

Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом. Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно реализуется ...

Проектирование аппаратного обеспечения одноплатных микроконтроллеров
Задание: В заданной РЭС осуществить управляющую функцию по одному из заданных параметров с помощью контроллера, построенного на МПК, разработать электрическую принципиальную схему проект ...

Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС), являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых видов услуг св ...