Прямое моделирование ёмкостных свойств диода в программе Cadance OrCaD Capture невозможно, однако можно предложить простой способ определения барьерной ёмкости по изменению обратного тока при воздействии импульсного сигнала.
Iс бар=Сбар*(dU/dt)
Отсюда Cбар= Iс бар/(dU/dt). Если U=k*t то
Сбар= Iс бар/k.
Рис. 85. Схема моделирования ёмкостных свойств диода
Параметры моделирования:
.TRAN 0 0.9ms 0.001ms
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 86. График зависимости барьерной ёмкости от напряжения.
Как видно из графика, ёмкость уменьшается с ростом обратного напряжения смещения на диоде из-за расширения электронно-дырочного перехода.
По результатам расчета определяется Fi контактная и характер распределения примесей (линейный p-n переход либо резкий p-n переход). Как видно из графика, ближе к линейной зависимости график функции 1/Cбар^3, т.е. можно сделать вывод что исследованный диод имеет линейное распределение примесей. Перенесение этой функции с осью абсцисс даёт значение контактной разности потенциалов 0.7 В.
Рис. 87. Графики зависимости от напряжения 1/Сбар^2 и 1/Сбар^3
Возможны и другие способы определения Сбар по результатам исследования резонансных частот параллельного или последовательного резонансного контура в котором в качестве ёмкости используется барьерная ёмкость p-n перехода.
Читайте также
Модуль дистанционного запуска двигателя автомобиля
Назначение устройства - производить запуск
двигателя с помощью SMS сообщения.
Курсовая работа состоит из 5 частей:
В первой части работы на основе технического
задания описывается ...
Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными
задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС),
являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых
видов услуг св ...
Основы телефонной коммутации
История освоения направления телекоммуникационного оборудования началась
в далеком 1992г., когда на развалинах Советского Союза небольшая группа
инженеров-энтузиастов во главе с будущим ...