МДП полевые транзисторы

Рис. 56. Схема моделирования передаточной характеристики полевого МДП транзистора с индуцированным p-каналом

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 7 0.01

.STEP V_V2 LIST 0 3 5 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 57. График передаточной характеристики полевого МДП транзистора с индуцированным p-каналом

Из графика видно, что пороговое напряжение данного полевого транзистора составляет 2.4 В.

Передаточная характеристика транзистора с встроенным p- каналом

Рис. 58. Схема моделирования передаточной характеристики полевого МДП транзистора со встроенным p-каналом

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 -5 -0.001

.STEP V_V2 LIST 5 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 59. Передаточная характеристика полевого МДП транзистора со встроенным p-каналом

Из рисунка видно, что для данного транзистора напряжение отсечки канала составляет -1.5 В.

Выходная характеристика транзистора с индуцированным p-каналом

Рис. 60. Схема моделирования полевого выходной ВАХ p-канального МДП транзистора

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V2 0.01 100 0.01

.STEP V_V1 LIST 0 5 6 7 8 9

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 61. График выходной ВАХ МДП полевого транзистора M2N6806

Температурная зависимость передаточных характеристик МДП транзистора с p и n каналами

Рис. 62. Схема моделирования температурных зависимостей передаточных характеристик МДП полевых транзисторов с n и p каналами

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 -4 7 0.001

.TEMP -60 125

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 63. График температурных зависимостей передаточных характеристик МДП полевых транзисторов с n и p каналами

С ростом температуры падает подвижность носителей зарядов из-за увеличения тепловых колебаний решётки, а их концентрация с ростом температуры увеличивается.

Читайте также

Разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа
Целью дипломного проектирование являлась разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа (БМРЦ) для использования их студентами техникума в качест ...

Разработка конструкции линейного коммутатора
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА), в основу функционирования которой положены принципы электроники, строится на базе электронных компонентов различного назначения (микросхем, резисторов, ...

Применение МПК в системах передачи информации
Каждое из трех предшествующих столетий ознаменовалось появлением какой-то технологии, развитие которой определяло прогресс в этом столетии. 18 век - механические системы, 19 - паровые ма ...