Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы, стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко использоваться в данной работе.
Интегральная микросхема (микросхема) (ИМС) - это микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования, обработки сигнала и (или) накапливания информации и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов), которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.
Элемент - это часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента, которая не может быть выделена как самостоятельное изделие. Под электрорадиоэлементом понимают транзистор, диод, резистор, конденсатор и др. Элементы могут выполнять и более сложные функции, например логические (логические элементы) или запоминание информации (элементы памяти).
Компонент - это часть микросхемы, реализующая функцию какого либо электрорадиоэлемента, которая может быть выделена как самостоятельное изделие. Компоненты устанавливаются на подложке микросхемы при выполнении сборочно-монтажных операций. К простым компонентам относятся бескорпусные диоды и транзисторы, специальные типы конденсаторов, малогабаритные катушки индуктивности и др. Сложные компоненты содержат несколько элементов, например диодные сборки.
С точки зрения внутреннего устройства микросхема представляет собой совокупность большого числа элементов и компонентов, размещенных на поверхности или в объеме общей диэлектрической или полупроводниковой подложки. Термин «интегральная» отражает конструктивное объединение элементов и компонентов, а также полное или частичное объединение технологических процессов их изготовления.
Интегральные микросхемы классифицируют по технологии изготовления, по функциональному назначению и по другим признакам.
По конструктивно-технологическому признаку различают полупроводниковые и гибридные интегральные микросхемы.
Полупроводниковая интегральная микросхема - это ИМС, все элементы и межэлементные соединения которой выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
Гибридная интегральная микросхема - это интегральная микросхема, часть которой может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.
Основными активными элементами полупроводниковых интегральных микросхем могут быть либо биполярные транзисторы, либо полевые транзисторы, в качестве которых обычно используют МДП-транзисторы с индуцироваиным каналом. Поэтому различают биполярные и МДП интегральные микросхемы.
В моей работе подробно исследуются ИМС на основе биполярных транзисторов n-p-n-типа.
Читайте также
Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический
прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется ...
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...
Моделирование мобильных систем связи
При организации сети сотовой связи для определения оптимального места
установки и числа базовых станций, а также для решения других задач необходимо
уметь рассчитывать характеристики сиг ...