Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование РЭА
При конструкторском проектировании РЭА (радиоэлектронной
аппаратуры) решаются задачи, связанные с поиском наилучшего варианта
конструкции, удовлетворяющего требованиям технического задан ...
Проектирование передатчика телевизионной системы на печатной плате
Телевизионный передатчик: совокупность специализированных технических
средств, применяемых в процессе телевещания (кроме источника сигнала и его
тракта, источника электропитания и энерго ...
Оценка производительности каналов и мониторинг корпоративной сети
В последнее время всё чаще документооборот и передача корпоративной
информации совершается в электронном виде тем или иным способом. Для этого уже
существует множество протоколов и метод ...