Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Основная техническая документация на рабочий проект волоконно-оптической линии передачи
В настоящее время в России в рамках развития единой сети
электросвязи (ЕСЭ) проводятся большие работы по расширению услуг электросвязи,
особенно в части подвижной связи, спутникового и к ...
Проектирование и разработка интернет-магазина Компьютерная техника
Разработка
сайтов для компаний является актуальной и востребованной сферой деятельности,
т.к. сайт фирмы в сети Интернет представляет собой достаточно дешевый и
массовый способ рекл ...
Разработка конструкции линейного коммутатора
Радиоэлектронная аппаратура (РЭА), в основу функционирования которой
положены принципы электроники, строится на базе электронных компонентов
различного назначения (микросхем, резисторов, ...