Режимные зависимости динамических свойств транзистора

Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Параметры моделирования:

.TRAN 0 9u 0 0.01u

.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.

Читайте также

Назначение и виды ударно-контактных извещателей
Извещатели ударно-контактные формируют тревожное извещение при нормированном ударном воздействии на контролируемую поверхность охраняемого объекта. Они предназначены для обнаружения раз ...

Оценка производительности каналов и мониторинг корпоративной сети
В последнее время всё чаще документооборот и передача корпоративной информации совершается в электронном виде тем или иным способом. Для этого уже существует множество протоколов и метод ...

Проект оконечной ОС на базе системы DX200
Современное состояние и перспективные планы развития Единой Сети Электросвязи (ЕСЭ) Российской Федерации характеризуются широким внедрением цифровых технологий и оборудования цифровых си ...