Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Основы статистической теории радиолокации
Если
о сигнале все известно , то нет необходимости в его приеме, если о нем ничего
не известно, то его невозможно отличить от помех, и прием его невозможен.
Поэтому,
...
Проектирование сетевого оборудования NGN
В настоящее время всё чаще встречаются публикации, посвящённые коренному
преобразованию ТфОП и переходу к сети следующего поколения (NGN). Она позиционируется как
универсальная сеть, спо ...
Надежность работы ВОЛП
В данной работе рассматривается проблема обеспечения
надежности эксплуатируемых линейно-кабельных сооружений при воздействии внешних
факторов - влияние молнии, воздействие коррозии, меха ...