Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными
задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС),
являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых
видов услуг св ...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...
Организация системы контроля доступа и видеонаблюдения в учреждении образования
Система
контроля доступа - это совокупность программно-технических средств и чётко
сформированной системы управления движением персонала и временем его нахождения
на объекте. Основными ...