Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Назначение и виды ударно-контактных извещателей
Извещатели
ударно-контактные формируют тревожное извещение при
нормированном ударном воздействии на контролируемую поверхность охраняемого
объекта. Они предназначены для обнаружения раз ...
Оценка производительности каналов и мониторинг корпоративной сети
В последнее время всё чаще документооборот и передача корпоративной
информации совершается в электронном виде тем или иным способом. Для этого уже
существует множество протоколов и метод ...
Проект оконечной ОС на базе системы DX200
Современное состояние и перспективные планы развития Единой Сети
Электросвязи (ЕСЭ) Российской Федерации характеризуются широким внедрением
цифровых технологий и оборудования цифровых си ...