Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование цифрового устройства для реализации типовых микроопераций
Разработать функциональную и принципиальную схему операционного
устройства исходя из основных параметров по вариантам.
Также требуется предоставить блок схемы алгоритмов выполнения опе ...
Назначение и виды ударно-контактных извещателей
Извещатели
ударно-контактные формируют тревожное извещение при
нормированном ударном воздействии на контролируемую поверхность охраняемого
объекта. Они предназначены для обнаружения раз ...
Проектирование релейной защиты и автоматики
В электрической системе имеются следующие источники: ТЭЦ-1, ТЭЦ-2,
ТЭЦ-3, ТЭЦ-4, ТЭЦ-5, ГРЭС, СарГЭС и БАЭС. ТЭЦ-1, ГРЭС допускается отдельно не
учитывать, так как их мощность по сравнению с ...