Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование передатчика телевизионной системы на печатной плате
Телевизионный передатчик: совокупность специализированных технических
средств, применяемых в процессе телевещания (кроме источника сигнала и его
тракта, источника электропитания и энерго ...
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...
Проектирование системы автоматического управления очистки стекла спортивного самолета
Задачи
по управлению тем или иным явлением или процессом, возникающие в повседневной
практической деятельности человека обширны и многообразны.
Управление
можно определить как совоку ...