Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование усилителя напряжения
Прежде чем начать рассчитывать усилитель, выберем некоторые его элементы
и условия моделирования.
В качестве транзисторов будем использовать нашедшие широкое применение в
прак ...
Модернизация охранной сигнализации университета
Безопасность собственного имущества издревле была одной из
главных забот человека. Для защиты от несанкционированного вторжения в жилище,
хищения вещей и пожара человечество придумало не ...
Основные принципы и задачи по организации технической эксплуатации ВОЛП
Техническую
эксплуатацию линейно-кабельных сооружений магистральной и внутризоновых
первичных сетей Российской Федерации организуют Минсвязи РФ и центры
технической эксплуатации в соотв ...