Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование спутниковой линии связи между городом Якутск и поселком Черский
Стремительное развитие космонавтики, успехи в изучении и
исследовании околоземного и межпланетного космического пространства выявили
весьма высокую эффективность использования околоз ...
Монтаж и регулировка шестиканальной цветомузыкальной приставки
Основным направлением развития радиоэлектронной
промышленности является создание высокотехнологической радиоэлектронной
аппаратуры на основе четкой организации производства, использован ...
Проектирование устройства для измерения статических характеристик электромагнитного двигателя
Ветер - это горизонтальное перемещение, поток воздуха параллельно земной
поверхности, возникающее в результате неравномерного распределения тепла и
атмосферного давления и направленное и ...