Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Организация сети широкополосного доступа Комсомольского микрорайона г. Краснодара
Сегодня
потребность пользователей Интернет в передаче большого объема данных на высокой
скорости стремительно растет. Это связано с увеличением качества используемых
данных, и как резул ...
Организация сети местной телефонной связи
Для планирования работы транспорта, оперативного
управления перевозочным процессом и предупреждения потерь создают системы
передачи информационных потоков, основное требование к которым ...
Разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа
Целью дипломного проектирование являлась разработка комплекта
электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа (БМРЦ) для
использования их студентами техникума в качест ...