Рис. 41. Схема моделирования импульсных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Параметры моделирования:
.TRAN 0 9u 0 0.01u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15 20
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 42. Режимные зависимости импульсных свойств биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером
Из графика видно, что время рассасывания уменьшается с увеличением напряжения на коллекторе, т.к. уменьшается толщина базы и в ней накапливается меньший заряд.
Читайте также
Проектирование устройств фильтрации
Неотъемлемая часть телекоммуникационных задач связана с преобразованием
сигналов. Одной из основных является фильтрация, т.е. выделение или подавление
определенных частот сигнала. Устрой ...
Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический
прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется ...
Разработка компьютерной сети по технологии Token Ring c STP с подключением к Интернет
Организация
компьютерных сетей:
Назначение
КС - КС используется для объединения ПК, программно-аппаратных комплексов и
связующих линий, обеспечивающих обмен информации. КС использует ...