Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером

Рис. 22. Схема моделирования выходных ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером

Выходная характеристика

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0 20 0.01

.STEP I_I1 LIST 0 0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5m

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC" \SCHEMATIC1.net"

Рис. 23. Выходная ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером

Виден заметный наклон характеристик в области активного режима работы транзистора, что связано с зависимостью коэффициента передачи транзистора по току от напряжения на коллекторе из-за модуляции толщины базовой области транзистора коллекторным напряжением.

2.2.3 Характеристика обратной связи

Параметры моделирования:

.DC LIN V_V1 0.001 400m 0.0001

.STEP I_I1 LIST 0.1m 0.3m 0.5m

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 24. График характеристики обратной связи по напряжению биполярного p-n-p транзистора

Из графика видно, что в схеме с общим эмиттером обратная связь по напряжению положительная.

Характеристика прямой передачи

Параметры моделирования:

.DC LIN I_I1 10u 500u 0.01u

.STEP V_V1 LIST 1 10

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 25. График зависимости коэффициента передачи по току от рабочего тока при разных коллекторных потенциалах биполярного p-n-p транзистора

При малых токах базы коэффициент передачи нарастает с ростом током базы, что связано с появлением электрического поля в базе. Спад же при больших токах базы связан с эффектом Федотова-Кирка (возрастание толщины базы в биполярном транзисторе с ростом тока коллектора при неизменном напряжении на коллекторе, вызванное уменьшением размера области пространственного заряда коллекторного перехода из-за увеличения концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора).

Читайте также

Разработка лабораторного стенда Измерение опасных акустических сигналов
Для человека слух является вторым по информативности после зрения. Поэтому одним из довольно распространенных каналов утечки информации является акустический канал. В акустическом канал ...

Проектирование аппаратного обеспечения одноплатных микроконтроллеров
Задание: В заданной РЭС осуществить управляющую функцию по одному из заданных параметров с помощью контроллера, построенного на МПК, разработать электрическую принципиальную схему проект ...

Проектирование локальной вычислительной сети
Телекоммуникация и сетевые технологии являются в настоящее время той движущей силой, которая обеспечивает развитие мировой цивилизации. Практически нет области производственных и обществ ...