Рис. 22. Схема моделирования выходных ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером
Выходная характеристика
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 0 20 0.01
.STEP I_I1 LIST 0 0.1m 0.2m 0.3m 0.4m 0.5m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC" \SCHEMATIC1.net"
Рис. 23. Выходная ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общим эмиттером
Виден заметный наклон характеристик в области активного режима работы транзистора, что связано с зависимостью коэффициента передачи транзистора по току от напряжения на коллекторе из-за модуляции толщины базовой области транзистора коллекторным напряжением.
2.2.3 Характеристика обратной связи
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 0.001 400m 0.0001
.STEP I_I1 LIST 0.1m 0.3m 0.5m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 24. График характеристики обратной связи по напряжению биполярного p-n-p транзистора
Из графика видно, что в схеме с общим эмиттером обратная связь по напряжению положительная.
Характеристика прямой передачи
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 10u 500u 0.01u
.STEP V_V1 LIST 1 10
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 25. График зависимости коэффициента передачи по току от рабочего тока при разных коллекторных потенциалах биполярного p-n-p транзистора
При малых токах базы коэффициент передачи нарастает с ростом током базы, что связано с появлением электрического поля в базе. Спад же при больших токах базы связан с эффектом Федотова-Кирка (возрастание толщины базы в биполярном транзисторе с ростом тока коллектора при неизменном напряжении на коллекторе, вызванное уменьшением размера области пространственного заряда коллекторного перехода из-за увеличения концентрации неосновных носителей в базе при больших токах коллектора).
Читайте также
Основная техническая документация на рабочий проект волоконно-оптической линии передачи
В настоящее время в России в рамках развития единой сети
электросвязи (ЕСЭ) проводятся большие работы по расширению услуг электросвязи,
особенно в части подвижной связи, спутникового и к ...
Основы телефонной коммутации
История освоения направления телекоммуникационного оборудования началась
в далеком 1992г., когда на развалинах Советского Союза небольшая группа
инженеров-энтузиастов во главе с будущим ...
Подвеска оптического кабеля на опорах
В
настоящее время на ВОЛП-ВЛ применяются следующие типы ОК:
ОКГТ
- оптический кабель, встроенный в грозозащитный трос;
ОКСН
- оптический кабель самонесущий;
ОКНН
- оптический ...