Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора
В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.
Читайте также
Проектирование усилителя напряжения
Прежде чем начать рассчитывать усилитель, выберем некоторые его элементы
и условия моделирования.
В качестве транзисторов будем использовать нашедшие широкое применение в
прак ...
Приемно-контрольная панель на базе микроконтроллера
Приемно-контрольные
приборы (ПКП) осуществляют прием информации от извещателей, ее запоминание,
обработку и передачу соответствующим службам, а также выполняют процедуры
взятия под охра ...
Проектирование корпоративной сети
Информационная сеть - сеть, предназначенная для обработки, хранения и
передачи данных. Информационная сеть состоит из:
· абонентских и административных систем;
· связы ...