Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора
В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.
Читайте также
Разработка компьютерной сети по технологии ArcNet с подключением к Internet
Организация
компьютерных сетей.
Назначение:
Создание
компьютерных сетей вызвано практической потребностью пользователей удаленных
друг от друга компьютеров в одной и той же информ ...
Проект организации широкополосного доступа в коттеджном микрорайоне Чистопрудный г. Ижевска
Возможность в любое время в любом месте при любых условиях
иметь доступ к неограниченным информационным ресурсам становится для
современного человека одним из самых важных аспектов жизни ...
Подвеска оптического кабеля на опорах
В
настоящее время на ВОЛП-ВЛ применяются следующие типы ОК:
ОКГТ
- оптический кабель, встроенный в грозозащитный трос;
ОКСН
- оптический кабель самонесущий;
ОКНН
- оптический ...