Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора
В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.
Читайте также
Проектирование устройства автоматической компенсации доплеровской частоты для СДЦ РЛС 5Н84А
Широкое
применение радиолокационной техники в военных целях (воздушная и наземная
разведки, навигация, вывод на траекторию ракет различного назначения) вызвало в
последние годы бурное р ...
Разработка микропроцессорного контроллера для контроля ритма дыхания больного
В последнее время микропроцессорные средства
вычислительной технике стало широко применяться в приборах бытовой техники,
различных контрольно-измерительных устройствах, системах управлен ...
Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
В последние десятилетия в зарубежных системах образования
произошли существенные изменения, обусловленные бурным развитием
научно-технического прогресса и его воздейст ...