Моделирование характеристик фотоэлемента

Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.

Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары

Параметры моделирования:

.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора

В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.

Читайте также

Проектирование передатчика телевизионной системы на печатной плате
Телевизионный передатчик: совокупность специализированных технических средств, применяемых в процессе телевещания (кроме источника сигнала и его тракта, источника электропитания и энерго ...

Проектирование центра обслуживания вызовов
Целью настоящей курсовой работы является получение знаний о принципах функционирования современных центров обслуживания вызовов (ЦОВ) и навыков их проектирования с применением известных ...

Проект участка сети доступа по технологии PON г. Новосибирска
Современное общество - информационное общество. Жизнь и деятельность человека неразрывно связана с информацией, ее хранением, передачей и обработкой, Объем данных передаваемых по канала ...