Моделирование характеристик фотоэлемента

Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.

Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары

Параметры моделирования:

.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора

В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.

Читайте также

Моделирование радиомаячной системы посадки метрового диапазона с помощью программы Micro-Cap
Функциональные возможности использования авиации во многом определяются качеством решения задач навигации, в частности, уровнем развития устройств и систем радионавигации. Под термино ...

Организация сети широкополосного доступа Комсомольского микрорайона г. Краснодара
Сегодня потребность пользователей Интернет в передаче большого объема данных на высокой скорости стремительно растет. Это связано с увеличением качества используемых данных, и как резул ...

Разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа
Целью дипломного проектирование являлась разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа (БМРЦ) для использования их студентами техникума в качест ...