Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора
В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.
Читайте также
Проектирование аппаратного обеспечения одноплатных микроконтроллеров
Задание: В заданной РЭС осуществить управляющую функцию по одному из
заданных параметров с помощью контроллера, построенного на МПК, разработать
электрическую принципиальную схему проект ...
Моделирование радиомаячной системы посадки метрового диапазона с помощью программы Micro-Cap
Функциональные возможности использования авиации во многом
определяются качеством решения задач навигации, в частности, уровнем развития
устройств и систем радионавигации.
Под термино ...
Организация связи по оптическому кабелю магистрали Коченево-Мамонтово
Телекоммуникации
являются основой развития общества. Постоянно растущий спрос, как на обычные
телефонные, так и на новые виды услуг связи, включая услуги Интернет,
предъявляет новые тре ...