Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора
В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.
Читайте также
Моделирование мобильных систем связи
При организации сети сотовой связи для определения оптимального места
установки и числа базовых станций, а также для решения других задач необходимо
уметь рассчитывать характеристики сиг ...
Разработка микропроцессорного контроллера для контроля ритма дыхания больного
В последнее время микропроцессорные средства
вычислительной технике стало широко применяться в приборах бытовой техники,
различных контрольно-измерительных устройствах, системах управлен ...
Проектирование дискретного устройства
На современном этапе развития транспорта наблюдается бурный рост темпов и
объемов перевозок, особенно на железнодорожном транспорте в силу высокой
скорости и невысокой стоимости грузопер ...