Полупроводниковый фотоэлемент - это полупроводниковый прибор с выпрямляющим электрическим переходом, предназначенный для непосредственного преобразования световой энергии в электрическую.
Схема для моделирования характеристик фотоэлемента на основе транзисторной оптопары
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 100m 0.01m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 96. График генерированных фото ЭДС p-n переходами фототранзистора
В транзисторе уровни легирования эмиттера и коллектора различные, поэтому коллекторный и эмиттерный переходы имеют различные разности потенциалов что и приводит к отличию генерированных p-n переходами ЭДС.
Читайте также
Проектирование передатчика телевизионной системы на печатной плате
Телевизионный передатчик: совокупность специализированных технических
средств, применяемых в процессе телевещания (кроме источника сигнала и его
тракта, источника электропитания и энерго ...
Проектирование центра обслуживания вызовов
Целью
настоящей курсовой работы является получение знаний о принципах
функционирования современных центров обслуживания вызовов (ЦОВ) и навыков их
проектирования с применением известных ...
Проект участка сети доступа по технологии PON г. Новосибирска
Современное
общество - информационное общество. Жизнь и деятельность человека неразрывно
связана с информацией, ее хранением, передачей и обработкой, Объем данных
передаваемых по канала ...