Биполярный транзистор - это полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими выпрямляющими электрическими переходами и тремя (или более) выводами, усилительные свойства которого обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.
.1 Статические характеристики биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
Рис. 19. Схема моделирования биполярного p-n-p транзистора с общей базой
Входные характеристики
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 0 10m 0.001m
.STEP V_V1 LIST 0 100
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC" \SCHEMATIC1.net"
Рис. 20. Входная характеристика биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
Как видно из графика, с ростом коллекторного напряжения уменьшается падение напряжения на эмиттерном переходе, что свидетельствует о наличии отрицательной обратной связи по постоянному напряжению.
Выходная характеристика
Параметры моделирования:
.DC LIN V_V1 -1 20 0.01
.STEP I_I1 LIST 1m 2m 3m 4m 5m
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 21. Выходная ВАХ биполярного p-n-p транзистора в схеме с общей базой
Начальный участок графика (V1<0) соответствует режиму насыщения транзистора, а область неизменного тока коллектора - активному режиму работы.
Читайте также
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...
Модернизация охранной сигнализации университета
Безопасность собственного имущества издревле была одной из
главных забот человека. Для защиты от несанкционированного вторжения в жилище,
хищения вещей и пожара человечество придумало не ...
Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными
задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС),
являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых
видов услуг св ...