Разработать конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры резистора:
¾ номинал: 500 Ом;
¾ погрешность: ± 10 %;
¾ граничная частота не менее: 450 МГц;
¾ паразитная емкость не более: 0.1 пФ;
¾ выполнить оптимизацию конструкции резистора по критерию «минимальная площадь»;
¾ резистор должен иметь элементы связи с другими ИМС;
¾ материал: КДБ 10;
¾ минимальная ширина окна в окисле под резистор 14 мкм.
. Описание и анализ конструкции диффузионного резистора
Интегральные резисторы - группа резисторов с различными номиналами, изготовленных на общем основании (пассивной подложке, полупроводниковом кристалле) одновременно, в общем технологическом процессе, что осуществляется благодаря общему для всех резисторов резистивному слою, который может быть создан избирательно с помощью масок и трафаретов или нанесен в виде сплошной пленки с последующим избирательным травлением (фотолитографией). Среди интегральных резисторов выделяют следующие разновидности:
§ диффузионные резисторы;
§ эпитаксиальные резисторы;
§ пинч-резисторы;
§ эпитаксиальные пинч-резисторы;
§ другие.
Остановимся подробнее на диффузионных резисторах.
Рис.1. Структура (а) и топология (б) диффузионного резистора
Рис.2. Поперечный разрез диффузионного резистора на основе базовой области.
Диффузионные полупроводниковые резисторы формируются в результате диффузии примеси через предварительно вытравленные в оксиде кремния окна (оксидная маска), расположенные по поверхности кремниевой групповой пластины. Диффузионные резисторы изготовляют одновременно с базовой или, что реже, с эмиттерной областью. Это связано с требованиями интегральной технологии, в частности с необходимостью минимизировать число операций. Сопротивление диффузионного резистора представляет собой объемное сопротивление участка диффузионного слоя, ограниченного p-n-переходом. Оно определяется геометрическими размерами резистивной области и распределением примеси по глубине диффузионного слоя, которое, в свою очередь, характеризуется поверхностным сопротивлением Rсл. Значение Rсл является конструктивным параметром резистора, зависящим от технологических факторов (режима диффузии) и, к тому же, жестко предопределенным параметрами слоя транзистора, поэтому параметры резисторов улучшают не варьированием технологических режимов, а выбором конфигурации и геометрических размеров резистора.
Читайте также
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...
Перспективы развития транкинговой радиосвязи
Системы
транкинговой радиосвязи, представляющие собой радиальнозоновые системы
подвижной УКВ радиосвязи, осуществляющие автоматической распределение каналов
связи ретрансляторов между а ...
Модернизация охранной сигнализации университета
Безопасность собственного имущества издревле была одной из
главных забот человека. Для защиты от несанкционированного вторжения в жилище,
хищения вещей и пожара человечество придумало не ...