Рис. 39. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 40. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора
Читайте также
Проект внутризоновой ВОЛП на участке Новосибирск—Карасук
Научно-технический
прогресс во многом определяется скоростью передачи информации и ее объемом.
Возможность резкого увеличения объемов передаваемой информации наиболее полно
реализуется ...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Моделирование радиомаячной системы посадки метрового диапазона с помощью программы Micro-Cap
Функциональные возможности использования авиации во многом
определяются качеством решения задач навигации, в частности, уровнем развития
устройств и систем радионавигации.
Под термино ...