Режимные зависимости усилительных свойств транзистора

Рис. 39. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой

Параметры моделирования:

.DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u

.STEP V_V1 LIST 5 10 15

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 40. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора

Читайте также

Перспективы развития транкинговой радиосвязи
Системы транкинговой радиосвязи, представляющие собой радиальнозоновые системы подвижной УКВ радиосвязи, осуществляющие автоматической распределение каналов связи ретрансляторов между а ...

Приемно-контрольная панель на базе микроконтроллера
Приемно-контрольные приборы (ПКП) осуществляют прием информации от извещателей, ее запоминание, обработку и передачу соответствующим службам, а также выполняют процедуры взятия под охра ...

Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме. Разрядность ША - 20, ШД - 8. ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...