Рис. 39. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 40. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора
Читайте также
Построение внутренней памяти процессорной системы, состоящей из ПЗУ и статического ОЗУ
Построить внутреннюю память процессорной системы, состоящую из ПЗУ и
статического ОЗУ. Процессорная система работает в реальном режиме.
Разрядность ША - 20, ШД - 8.
ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ: ...
Основы телефонной коммутации
История освоения направления телекоммуникационного оборудования началась
в далеком 1992г., когда на развалинах Советского Союза небольшая группа
инженеров-энтузиастов во главе с будущим ...
Проект участка сети доступа по технологии PON г. Новосибирска
Современное
общество - информационное общество. Жизнь и деятельность человека неразрывно
связана с информацией, ее хранением, передачей и обработкой, Объем данных
передаваемых по канала ...