Рис. 39. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 40. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора
Читайте также
Нанотехнологии в науке и технике
В течение тысячелетий человек использовал в быту и технике
макроскопические тела, состоящие из большого числа атомов, будь это каменный
топор или авиалайнер. Первая научно- ...
Применение пространственной фильтрации для улучшения радиоголографических изображений объектов, находящихся за препятствиями
В настоящее время активно развивается раздел науки, посвященный
радиовидению. Это связано с тем, что радиовидение может найти свое применение в
широкой сфере деятельности человека для об ...
Разработка компьютерного измерительного комплекса вагона-лаборатории железнодорожной автоматики, телемеханики и связи
Измерительная техника - один из важнейших факторов ускорения
научно-технического прогресса практически во всех отраслях народного хозяйства.
Получение и обработка измерительной информа ...