Рис. 39. Схема моделирования режимных зависимостей биполярного транзистора в схеме с общей базой
Параметры моделирования:
.DC LIN I_I1 10u 10m 0.1u
.STEP V_V1 LIST 5 10 15
.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))
.INC " \SCHEMATIC1.net"
Рис. 40. Зависимости альфа и бета биполярного транзистора от тока базы при разных U коллектора
Читайте также
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Проектирование мультивибратора на трёх логических элементах серии КМОП
Генераторы
- специальные элементы цифровых устройств, предназначенные для формирования
последовательности электрических сигналов различной формы. Генераторы
обеспечивают работу цифровог ...