Моделирование характеристик диффузионного резистора

В полупроводниковых интегральных микросхемах на биполярных структурах в качестве резисторов часто используются проводящие области полупроводника помещённые, в изолированных с помощью p-n перехода областях. Наличие изолирующего p-n перехода с его барьерной ёмкостью будет сказываться на значении сопротивления при работе на переменном сигнале, особенно в области высоких частот из-за шунтирующего действия ёмкостного сопротивления p-n перехода. На рис. 92 приведены эквивалентные схемы диффузионного резистора состоящего из 1, 3, 5 и 10 Т-образных RC звеньев.

Рис. 92. Эквивалентные схемы моделирования диффузионного резистора состоящего из 1, 3, 5 и 10 Т-образных RC звеньев.

Параметры моделирования:

.AC LIN 5000 1 10meg

.PROBE V(alias(*)) I(alias(*)) W(alias(*)) D(alias(*)) NOISE(alias(*))

.INC " \SCHEMATIC1.net"

Рис. 93. Зависимость сопротивления диффузионного резистора от частоты при использовании эквивалентных схем, состоящих из различного числа звеньев

Из рисунка видно, что использование эквивалентной схемы состоящей из трёх звеньев уже даёт довольно точные результаты моделирования.

Читайте также

Оценка производительности каналов и мониторинг корпоративной сети
В последнее время всё чаще документооборот и передача корпоративной информации совершается в электронном виде тем или иным способом. Для этого уже существует множество протоколов и метод ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...

Основы статистической теории радиолокации
Если о сигнале все известно , то нет необходимости в его приеме, если о нем ничего не известно, то его невозможно отличить от помех, и прием его невозможен. Поэтому, ...