Выбор элементной базы для построения принципиальной электрической схемы цифрового устройства

Для построения данной принципиальной электрической схемы лучше всего использовать микросхемы средней и малой интеграции серий К555, К1533, К155, КМ185, К533, выполненных по ТТЛ и ТТЛШ технологиям, из-за высокой распространенности, высокого процента безотказности и общей совместимости. При выборе микросхем необходимо руководствоваться критерием минимальности числа используемых корпусов, количества связей и числа незадействованных элементов.

Регистры общего назначения.

Для РОН предпочтительней выбор микросхемы КМ185РУ7, так как она подходит по разрядности и у нее есть три сигнала с помощью которых можно управлять микросхемой не блокируя режим записи.

Единичный сигнал переводит выходы микросхемы в третье состояние, не блокируя режим записи.

Буферный регистр и регистр результата.

Для буферного регистра и регистра результата выбирается микросхема К555ТМ9, подходящая по разрядности и с помощью положительного сигнала синхроимпульса получающая возможность записи.

Регистр имеет инверсный вход установки всех разрядов в нулевое состояние.

Регистр сдвига.

Для регистра сдвига выбирается микросхема К5333ИР11, так как необходимо присутствие реверсивного класса (сдвиг, как вправо, так и влево), режима параллельной загрузки с входов D0 D3, последовательной загрузки с входов DR и DL и режима хранения. Также она соответствует разрядности.

цифровой микрооперация алгоритм логический

Читайте также

Проектирование релейной защиты и автоматики
В электрической системе имеются следующие источники: ТЭЦ-1, ТЭЦ-2, ТЭЦ-3, ТЭЦ-4, ТЭЦ-5, ГРЭС, СарГЭС и БАЭС. ТЭЦ-1, ГРЭС допускается отдельно не учитывать, так как их мощность по сравнению с ...

Поверка электронного вольтметра В7-26 по напряжению постоянного тока
Считается, что первый вольтметр изобрел М. Фарадей, причем в 1830 году, ещё за год до того, как он же открыл явление электромагнитной индукции, на котором основано действие целого класса ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...