Выбор элементной базы для построения принципиальной электрической схемы цифрового устройства

Для построения данной принципиальной электрической схемы лучше всего использовать микросхемы средней и малой интеграции серий К555, К1533, К155, КМ185, К533, выполненных по ТТЛ и ТТЛШ технологиям, из-за высокой распространенности, высокого процента безотказности и общей совместимости. При выборе микросхем необходимо руководствоваться критерием минимальности числа используемых корпусов, количества связей и числа незадействованных элементов.

Регистры общего назначения.

Для РОН предпочтительней выбор микросхемы КМ185РУ7, так как она подходит по разрядности и у нее есть три сигнала с помощью которых можно управлять микросхемой не блокируя режим записи.

Единичный сигнал переводит выходы микросхемы в третье состояние, не блокируя режим записи.

Буферный регистр и регистр результата.

Для буферного регистра и регистра результата выбирается микросхема К555ТМ9, подходящая по разрядности и с помощью положительного сигнала синхроимпульса получающая возможность записи.

Регистр имеет инверсный вход установки всех разрядов в нулевое состояние.

Регистр сдвига.

Для регистра сдвига выбирается микросхема К5333ИР11, так как необходимо присутствие реверсивного класса (сдвиг, как вправо, так и влево), режима параллельной загрузки с входов D0 D3, последовательной загрузки с входов DR и DL и режима хранения. Также она соответствует разрядности.

цифровой микрооперация алгоритм логический

Читайте также

Принцип работы оптоволоконных сканеров отпечатков пальцев
Идентификация по отпечаткам пальцев - на сегодня самая распространенная биометрическая технология. По данным International Biometric Group, доля систем распознавания по отпечаткам пальце ...

Проектирование устройства автоматической компенсации доплеровской частоты для СДЦ РЛС 5Н84А
Широкое применение радиолокационной техники в военных целях (воздушная и наземная разведки, навигация, вывод на траекторию ракет различного назначения) вызвало в последние годы бурное р ...

Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы, стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко использоваться в данной работе. Инт ...