где Hэкв=Zэкв+h (h задано в техническом задании), а индексы соответствуют меньшему, среднему и большему значению вертикального градиента диэлектрической проницаемости.
Построим профиль трассы
Рисунок 3.1 - Профиль трассы Володино-Вознесенка
Рисунок 3.2 - Профиль трассы Вознесенка-Киреевск
Читайте также
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...
Проект участка сети доступа по технологии PON г. Новосибирска
Современное
общество - информационное общество. Жизнь и деятельность человека неразрывно
связана с информацией, ее хранением, передачей и обработкой, Объем данных
передаваемых по канала ...
Оценка производительности каналов и мониторинг корпоративной сети
В последнее время всё чаще документооборот и передача корпоративной
информации совершается в электронном виде тем или иным способом. Для этого уже
существует множество протоколов и метод ...