где Hэкв=Zэкв+h (h задано в техническом задании), а индексы соответствуют меньшему, среднему и большему значению вертикального градиента диэлектрической проницаемости.
Построим профиль трассы
Рисунок 3.1 - Профиль трассы Володино-Вознесенка
Рисунок 3.2 - Профиль трассы Вознесенка-Киреевск
Читайте также
Разработка компьютерной сети по технологии ArcNet с подключением к Internet
Организация
компьютерных сетей.
Назначение:
Создание
компьютерных сетей вызвано практической потребностью пользователей удаленных
друг от друга компьютеров в одной и той же информ ...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...
Проект оконечной ОС на базе системы DX200
Современное состояние и перспективные планы развития Единой Сети
Электросвязи (ЕСЭ) Российской Федерации характеризуются широким внедрением
цифровых технологий и оборудования цифровых си ...