В микроконтроллере имеется 4 многофункциональных 8-битовых порта ввода/вывода Р0, Р1, Р2 и Р3, предназначенные для обмена информацией с различными внешними устройствами, такими, как внешняя память программ и данных. Каждый порт является фиксатором-защелкой и может адресоваться как побайтно, так и побитно.
Порт P0 - двунаправленный порт ввода/вывода, выходные каскады с открытым стоком. Через порт Р0 выводится младший байт адреса, а также выдается и принимается в микроконтроллер байт данных при работе с внешней памятью программ/данных. Также задаются данные при программировании внутренней памяти программ и читается ее содержимое.
Порт Р1 является двунаправленным портом ввода/вывода, выходные каскады которого «подтянуты» к единице внутренними нагрузочными резисторами. Линии P1.0 и P1.1 используются для обслуживания третьего счётчика/таймера (T/C2).
Через порт Р2 выводится старший байт адреса (разряды А8-А15) внешней памяти программ и данных.
Все порты могут быть использованы для организации ввода/вывода информации по двунаправленным линиям передачи. Однако порты 0 и 2 не могут быть использованы для этой цели в случае, если система имеет внешнюю память, связь с которой организуется через общую разделяемую шину адреса/данных, работающую в режиме временного мультиплексирования.
Альтернативные функции порта 3 представлены в таблице 5
Таблица 5 - Альтернативные функции Р3
|
Бит |
Мнемоника |
Назначение |
|
P3.0 |
R´D |
Вход данных последовательного порта |
|
P3.1 |
T´D |
Выход передатчика последовательного порта |
|
P3.2 |
INT0 |
Внешнее прерывание 0 |
|
P3.3 |
INT1 |
Внешнее прерывание 1 |
|
P3.4 |
T0 |
Внешний вход Т/С0 |
|
P3.5 |
T1 |
Внешний вход Т/С1 |
|
P3.6 |
WR |
Строб записи во ВПД |
|
P3.7 |
RD |
Строб чтения из ВПД |
В схеме генератора сигнала порты Р0 и Р2 используются при обращении к внешней памяти. Порт Р1 используется для организации управления работой генератора и индикации.
Читайте также
Поверка электронного вольтметра В7-26 по напряжению постоянного тока
Считается, что первый вольтметр изобрел М. Фарадей, причем в 1830
году, ещё за год до того, как он же открыл явление электромагнитной индукции,
на котором основано действие целого класса ...
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...
Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать
конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора
в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный.
Параметры
...