Расчёт периода следования тактовых импульсов и тактовой частоты

Для проверки работоспособности схемы необходимо для заданного перехода (смотри пункт 4.3.) из в при =0 .При этом необходимо следить за тем, чтобы не было эффекта гонок. Чтобы определить задержку необходимо воспользоваться формулой =.Поскольку =40 нс, =32 нс, =22 нс, получаем: 40+32+4(22)=160 нс.Таким образом, пользуясь формулой периода следования, получаем:

=/160=1000/160=6.25 нс

f=1/T=1/6.25=0.16 МГц

Заключение

По характеру отсчёта дискретного времени автоматы делятся на синхронные и асинхронные.

В синхронных конечных автоматах моменты времени, в которые автомат считывает входные сигналы, определяются принудительно синхронизирующими сигналами. После очередного синхронизирующего сигнала с учётом "считанного" и в соответствии с соотношениями для функционирования автомата происходит переход в новое состояние и выдача сигнала на выходе, после чего автомат может воспринимать следующее значение входного сигнала.

Асинхронный конечный автомат считывает входной сигнал непрерывно, и поэтому, реагируя на достаточно длинный входной сигнал постоянной величины x, он может, как следует из соотношений для функционирования автомата, несколько раз изменять состояние, выдавая соответствующее число выходных сигналов, пока не перейдёт в устойчивое состояние, которое уже не может быть изменено данным входным сигналом.

Читайте также

Проектирование центра обслуживания вызовов
Целью настоящей курсовой работы является получение знаний о принципах функционирования современных центров обслуживания вызовов (ЦОВ) и навыков их проектирования с применением известных ...

Применение системы автоматического проектирования на ИП Суслова
Почти все крупные предприятия используют в своей работе возможности компьютерной техники, в частности CAD, CAM, САЕ технологии, т.к. они предоставляют ряд преимуществ, таких как ...

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...