Расчёт параметров сети

ЛЭП моделируем активным и индуктивным сопротивлениями. Реактивная и активная проводимости не учитываются, так как длина защищаемой линии меньше 100 км (45,16 км). Будем считать, что линия симметрична и полностью транспонирована. Тогда можно принять, что . Самая актуальная информация mapelastic на нашем сайте.

а) расчёт параметров прямой последовательности

Составляющая активного сопротивления вычисляется по формуле:

, (1)

где - температура окружающей среды;

- активное сопротивление провода при .

Примем температуру окружающей среды 20◦. Сопротивление провода АС 185/24 составляет 0,157001 Ом/км. Тогда имеем:

Ом/км;

Удельное индуктивное сопротивление провода определяется типом опор и вычисляется по формуле

, (2)

где - среднее геометрическое расстояние между проводами;

- эквивалентный радиус провода одной фазы;

, (3)

где - расстояния между проводами соседних фаз;

Эквивалентный радиус провода определяется следующим образом , где -истинный радиус провода (для АС 185/24 =9,45 мм).

мм;

Рассчитаем среднее геометрическое расстояние между проводами соседних фаз для каждого типа опор:

· для опоры РВ110-1 имеем

· для опоры РВ110-2 имеем

· для опоры U110-2 имеем

Найдём индуктивное сопротивление проводов в соответствии с типом опор:

· для опоры РВ110-1 имеем

· для опоры РВ110-2 имеем

· для опоры U110-2 имеем

б) удельные параметры нулевой последовательности

В земле протекает только утроенный ток нулевой последовательности, и поэтому активное удельное сопротивление нулевой последовательности можно найти по следующей формуле:

; (4)

Индуктивное сопротивление проводов нулевой последовательности можно определить по следующей формуле:

, (5)

где - эквивалентная глубина обратного тока в земле (=1000, м);

Рассчитаем параметры нулевой последовательности для каждого типа опор:

· для опоры РВ110-1 имеем

· для опоры РВ110-2 имеем

· для опоры U110-2 имеем

Читайте также

Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный. Параметры ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...

Проектирование дискретного устройства
На современном этапе развития транспорта наблюдается бурный рост темпов и объемов перевозок, особенно на железнодорожном транспорте в силу высокой скорости и невысокой стоимости грузопер ...