Расчёт усилителя радиочастоты

В диапазонах умеренно высоких частот, то есть в диапазонах ДВ, КВ применяются транзисторные УРЧ по схеме с общим эмиттером, так как они обеспечивают наибольшее усиление полезного сигнала (Рис.3). Наибольшее распространение в транзисторных усилителях получила схема с двойной автотрансформаторной связью. Расчет УРЧ при известных параметрах используемого транзистора сводится к определению коэффициентов включения и элементов связи транзистора с контуром и к расчету коэффициента усиления. Определяем характеристическое сопротивление контура на крайних частотах диапазона:

Ориентировочное значение коэффициента включения:

Коэффициент включения контура со стороны коллектора, исходя из условия устойчивости:

Коэффициент шунтированного контура на минимальной частоте:

оптимальный коэффициент включения контура со стороны коллектора:

Так как , то принимается .

Коэффициент включения контура со стороны последующего каскада, при :

Коэффициент усиления на крайних точках диапазона:

Так как , то технические условия выполнены и расчет произведен верно.

Задаемся величиной напряжения Ез=0,7…1,5 В, определяем сопротивление термокомпенсации:

Задаемся значением коэффициента нестабильности в пределах 1,5…4 и определяем сопротивление делителя

Чтобы сопротивление не создавало отрицательной обратной связи на рабочих частотах, его обычно блокируют конденсатором С3

Определим разделительную емкость Ср:

Читайте также

Проектирование центра обслуживания вызовов
Целью настоящей курсовой работы является получение знаний о принципах функционирования современных центров обслуживания вызовов (ЦОВ) и навыков их проектирования с применением известных ...

Разработка конструкции и технологического процесса изготовления диффузионного резистора
Разработать конструкцию и выбрать технологический процесс изготовления диффузионного резистора в составе ИМС. Программа выпуска - 50000 шт. в год. Выпуск ежемесячный. Параметры ...

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...