Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией

Рис. 10. Изменения кремниевой подложки p+типа при изготовлении микросхем по второму варианту ЭПИК-процесса после:

а) - операций окисления, травления канавок, осаждения поликремния и сошлифования монокристаллической пластины p+типа; б) - окисления и фотолитографии; в) - травления канавок в монокристаллических участках кремния; г) - выращивания коллекторных pслоев локальной эпитаксией (на пленке окисла растет поликремний); д) - удаления плёнок в SiO2 и ППК и получения планарной структуры; е) - формирования базовой эмиттерной областей транзисторов, нанесения термическим окислением пассивирующего окисла, создания разводки и нанесения защитного диэлектрика.

Читайте также

Проект устройства со световыми эффектами на основе микроконтроллера ATtiny12 семейства AVR фирмы Atmel
Популярность микроконтроллеров ATtiny постоянно увеличивается. Не последнюю роль в этом играет соотношение показателей «цена/ быстродействие/ энергопотребление», являющееся одним из ...

Проектирование системы автоматического управления очистки стекла спортивного самолета
Задачи по управлению тем или иным явлением или процессом, возникающие в повседневной практической деятельности человека обширны и многообразны. Управление можно определить как совоку ...

Проектирование мультивибратора на трёх логических элементах серии КМОП
Генераторы - специальные элементы цифровых устройств, предназначенные для формирования последовательности электрических сигналов различной формы. Генераторы обеспечивают работу цифровог ...