Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией

Рис. 10. Изменения кремниевой подложки p+типа при изготовлении микросхем по второму варианту ЭПИК-процесса после:

а) - операций окисления, травления канавок, осаждения поликремния и сошлифования монокристаллической пластины p+типа; б) - окисления и фотолитографии; в) - травления канавок в монокристаллических участках кремния; г) - выращивания коллекторных pслоев локальной эпитаксией (на пленке окисла растет поликремний); д) - удаления плёнок в SiO2 и ППК и получения планарной структуры; е) - формирования базовой эмиттерной областей транзисторов, нанесения термическим окислением пассивирующего окисла, создания разводки и нанесения защитного диэлектрика. Смотрите лучшие клиники для пересадки волос в турции у нас на сайте.

Читайте также

Проектирование центра обслуживания вызовов
Целью настоящей курсовой работы является получение знаний о принципах функционирования современных центров обслуживания вызовов (ЦОВ) и навыков их проектирования с применением известных ...

Применение МПК в системах передачи информации
Каждое из трех предшествующих столетий ознаменовалось появлением какой-то технологии, развитие которой определяло прогресс в этом столетии. 18 век - механические системы, 19 - паровые ма ...

Обучающая подсистема для лабораторного исследования характеристик замкнутых САУ в среде интернет
В последние десятилетия в зарубежных системах образования произошли существенные изменения, обусловленные бурным развитием научно-технического прогресса и его воздейст ...