Рис. 10. Изменения кремниевой подложки p+типа при изготовлении микросхем по второму варианту ЭПИК-процесса после:
а) - операций окисления, травления канавок, осаждения поликремния и сошлифования монокристаллической пластины p+типа; б) - окисления и фотолитографии; в) - травления канавок в монокристаллических участках кремния; г) - выращивания коллекторных pслоев локальной эпитаксией (на пленке окисла растет поликремний); д) - удаления плёнок в SiO2 и ППК и получения планарной структуры; е) - формирования базовой эмиттерной областей транзисторов, нанесения термическим окислением пассивирующего окисла, создания разводки и нанесения защитного диэлектрика. Смотрите лучшие клиники для пересадки волос в турции у нас на сайте.
Читайте также
Приемник многоканальной линии связи
Любое радиоприемное устройство включает в себя приемную антенну,
радиоприемник и оконечное устройство, служащее для воспроизведения сигналов.
Существует классификация радиоприемник ...
Проектирование системы автоматического управления очистки стекла спортивного самолета
Задачи
по управлению тем или иным явлением или процессом, возникающие в повседневной
практической деятельности человека обширны и многообразны.
Управление
можно определить как совоку ...
Приемно-контрольная панель на базе микроконтроллера
Приемно-контрольные
приборы (ПКП) осуществляют прием информации от извещателей, ее запоминание,
обработку и передачу соответствующим службам, а также выполняют процедуры
взятия под охра ...