Технология изготовления полупроводниковых микросхем на основе биполярных транзисторов с диэлектрической изоляцией

Рис. 10. Изменения кремниевой подложки p+типа при изготовлении микросхем по второму варианту ЭПИК-процесса после:

а) - операций окисления, травления канавок, осаждения поликремния и сошлифования монокристаллической пластины p+типа; б) - окисления и фотолитографии; в) - травления канавок в монокристаллических участках кремния; г) - выращивания коллекторных pслоев локальной эпитаксией (на пленке окисла растет поликремний); д) - удаления плёнок в SiO2 и ППК и получения планарной структуры; е) - формирования базовой эмиттерной областей транзисторов, нанесения термическим окислением пассивирующего окисла, создания разводки и нанесения защитного диэлектрика.

Читайте также

Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС), являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых видов услуг св ...

Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника - бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается твердоте ...

Разработка конструкции и технологии производства охранной сигнализации на 8 объектов
Цель курсового проекта - разработка конструкции и технологии изготовления охранной сигнализации на 8 объектов. Исходные данные для разработки: задание на курсовое проектирование, прин ...