Корпус прибора необходимо заземлить. Клемма для заземления корпуса находится на задней панели. Нельзя эксплуатировать прибор при снятом кожухе.
При измерении напряжений выше 500 В работа должна проводиться с применением резиновых ковриков и перчаток. Запрещается присоединять к пробнику и отсоединять от него делитель напряжения ДН-519 при поданном напряжении.
Прибором нельзя измерять сопротивление элементов, находящихся под напряжением.
При вскрытии прибора для ремонта и регулировки необходимо соблюдать меры предосторожности, так как на выводах 1 и 2 трансформатора, на предохранителе и на тумблере включения сети имеется напряжение 220 В [2].
В данной курсовой работе было рассмотрено назначение прибора, принцип его действия, его технические характеристики, конструкция и структурная схема.
В7-26 - многофункциональный вольтметр среднего класса точности, предназначенный для измерения напряжения постоянного и переменного тока, сопротивления по постоянному току, отношения двух напряжений постоянного тока, отношения напряжения переменного тока к напряжению постоянного тока. Предусмотрены следующие режимы работы: измерения параметров, автоматический выбор поддиапазонов измерения, разовый запуск.
В дальнейшем будут приведены результаты поверки прибора В7-26 по напряжению постоянного тока.
Читайте также
Проектирование сооружений городской районной телефонной сети
Основными
задачами, стоящими перед отраслью связи на городской телефонной сети (ГТС),
являются улучшение характеристик качества обслуживания и предоставление новых
видов услуг св ...
Проект соединительной цифровой радиорелейной линии для сети сотовой связи Томск - Володино
Темпы
увеличения потребности в электросвязи и соответственно темпы реализации этой
потребности в технических системах непрерывно увеличивались на всем протяжении
закончившегося ХХ века ...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...