Выбор системы АРУ

. Коэффициент шунтирования:

Для контуров №1 и №2 принимаем:

Необходимое конструктивное и эквивалентное затухание контура.

. Характеристическое сопротивление контура №1

(Ом)

. Эквивалентная ёмкость контура

(мкФ)

Принимаем (мкФ)

. Коэффициент включения контура со стороны ПФ

. Величина индуктивности контура №1

(мкГн)

. Полагая, что для контура №2 справедливо следующее:

Находим величину характеристического сопротивления:

(Ом)

. Коэффициент включения в контур со стороны следующего каскада

. Эквивалентная ёмкость контура №2

(мкФ)

принимаем номинальное значение (мкФ)

. Величина индуктивности контура №2.

(мкГн)

. Определим величину ёмкости

(нФ)

Заключение

В курсовом проекте, в соответствии с заданием был спроектирован и рассчитан радиотелефонный приемник.

Определена и рассчитана структурная схема, выполнен расчет второго усилителя промежуточной частоты.

В процессе выбора структурной схемы радиоприемника был проведен анализ возможных схем радиоприемника, в результате чего была выбрана супергетеродинная схема с двойным преобразованием частоты.

На основе структурной схемы была разработана электрическая принципиальная всего радиоприемника. Приемник имеет небольшие массу и габариты, т.к. собран на транзисторах.

Читайте также

Организация системы контроля доступа и видеонаблюдения в учреждении образования
Система контроля доступа - это совокупность программно-технических средств и чётко сформированной системы управления движением персонала и временем его нахождения на объекте. Основными ...

Организация связи по оптическому кабелю магистрали Коченево-Мамонтово
Телекоммуникации являются основой развития общества. Постоянно растущий спрос, как на обычные телефонные, так и на новые виды услуг связи, включая услуги Интернет, предъявляет новые тре ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...