- Эквивалентная емкость контура
каскад не устойчив
Применяем пассивный способ повышения устойчивости, заключающийся в уменьшении резонансного коэффициента усиления до устойчивости. В этом случае каскад рассчитывают применительно к режиму фиксированного усиления задавшись величиной фиксированного коэффициента усиления
Коэффициент включения контура в цепь базы транзистора:
Для получения заданной полосы пропускания к контуру можно подключить шунтирующий резистор с проводимостью
Расчет каскада основного усиления
Найдем минимально допустимое отношение эквивалентной емкости контура к вносимой в контур транзистора.
Задавшись числом избирательных систем, определяем необходимое эквивалентное затухание контуров обеспечивающие полосу пропускания:
=1,96 - выбираем из таблицы.
d=0,01-собственное затухание катушки.
Вычислим критические значения эквивалентного затухания контура:
Б)
В этом случае от каскада не удается получить максимального усиления, так как для этого требуется слишком малая эквивалентная емкость контура, не допустимая с точки зрения стабильности формы частотной характеристики. В подобной ситуации реализуют режим максимального усиления при ограничении минимального значения эквивалентной емкости контура. При этом коэффициент включения определяется по формуле
- Эквивалентная емкость контура
каскад не устойчив
Применяем пассивный способ повышения устойчивости, заключающийся в уменьшении резонансного коэффициента усиления до устойчивости. В этом случае каскад рассчитывают применительно к режиму фиксированного усиления задавшись величиной фиксированного коэффициента усиления
Коэффициент включения контура в цепь базы транзистора:
Для получения заданной полосы пропускания к контуру можно подключить шунтирующий резистор с проводимостью
Рассчитываем индуктивность контурных катушек:
Собственная емкость контура при монтажной емкости См = 3пФ.
Расчет оконечного каскада
Найдем минимально допустимое отношение эквивалентной емкости контура к вносимой в контур транзистора.
Задавшись числом избирательных систем, определяем необходимое эквивалентное затухание контуров обеспечивающие полосу пропускания:
=1,96 - выбираем из таблицы.
d=0,01-собственное затухание катушки.
Читайте также
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...