Рассчитываем усилитель для ГИС СВЧ с параметрами:
- частота сигнала ГГц;
- полоса пропускания приемника кГц;
- избирательность преселектора по зеркальному каналу не менее дБ;
Волновое сопротивление подводящих линий МПЛ на входе и выходе усилителя 50 Ом.
Для реализации усилителя на частоте ГГц используем транзисторный усилитель как наиболее простой. Заданную избирательность преселектора
дБ обеспечим применением двух полосовых фильтров СВЧ на входе усилителя (входная цепь) и на его выходе с избирательностью по зеркальному каналу по 30дБ на каждый фильтр.
Выбираем для усилителя схему с общим эмиттером на биполярном транзисторе VT1 КТ391 схема с ОЭ в типовом режиме мА,
В.
Из таблицы находим S - параметры транзистора (на частоте ГГц):
,
,
,
,
,
,
Проверяем выполнение условий:
;
;
;
;
Поскольку , транзистор находится в области ОПУ. Для перевода его в область ОБУ используем стабилизирующее сопротивление:
Находим величину стабилизирующего сопротивления:
Ом
Пересчитаем S - параметры транзистора с учетом
Предварительно находим:
;
Пересчитанные S - параметры транзистора равны:
Читайте также
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Оптоэлектронные технологии
Оптоэлектроника
- бурно развивающаяся область науки и техники. Многие ее достижения вошли в
быт: индикаторы, дисплеи, лазерные видеопроигрыватели. Разрабатывается
твердоте ...
Перспективы развития транкинговой радиосвязи
Системы
транкинговой радиосвязи, представляющие собой радиальнозоновые системы
подвижной УКВ радиосвязи, осуществляющие автоматической распределение каналов
связи ретрансляторов между а ...