Основными параметрами при выборе ЭРЭ являются стоимость, технические параметры (номинальное значение параметров ЭРЭ согласно перечня элементов, допустимые отклонения величин от их номинального значения, допустимое рассеивание мощности, диапазон рабочих температур), дополнительными критериями при выборе ЭРЭ являются унификация, а также масса и габариты ЭРЭ.
Более подробно информацию о компонентах приведем в перечне элементов к электрической схеме, а также в таблице 3.1.
Таблица 3.1 Справочная информация по ЭРЭ
Условное обозначение |
Тип, номинальное зачение с допуском |
Установочные размеры (axbxc), мм; |
масса, г |
Предельная рабочая температура,°C |
Изображение |
С1 С3 С4 |
К10-47М 10мкФ±10%, 160В 22мкФ±10%, 160В 4,7мкФ±10%, 160В |
6х6х8 |
3 |
105 |
|
С2 |
К50-35 100 мкФ±10%, 25В |
9х9х15 |
9 |
105 |
|
DD1 |
К561ЛЕ5 |
10,6х7,5х4 |
3,5 |
130 |
|
K1 |
РЭС-47 |
22x12x12 |
12 |
140 |
|
R1, R3 R2, R4, R7 R5, R8 R6 |
С2-33 330 кОм ±10% 27 кОм±10% 470 кОм±10% 6,8 кОм±10% 300 Ом±10% |
8х4,2х5 |
1,4 |
155 |
|
VD1, VD2 |
КД522 |
5х2,2х5 |
0,5 |
105 |
|
VT1, VT2, VT4 |
КТ3102Е |
6х5х8 |
1,7 |
105 | |
VT3 |
КТ817А |
8х3х10 |
2,1 |
105 |
|
X1-X4 |
MPW2-250V |
5,5х3х8 |
2,7 |
150 |
|
Читайте также
Последовательность технологических операций формирования структуры с диэлектрической изоляцией
Прежде чем начать изложение основного материала моей курсовой работы,
стоит ввести определения некоторых понятий, которые в дальнейшем будут широко
использоваться в данной работе.
Инт ...
Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП
(комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS,
Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения
электронных схем. В те ...
Проект устройства со световыми эффектами на основе микроконтроллера ATtiny12 семейства AVR фирмы Atmel
Популярность микроконтроллеров ATtiny постоянно увеличивается.
Не последнюю роль в этом играет соотношение показателей «цена/ быстродействие/
энергопотребление», являющееся одним из ...