Особенности использования МДП-транзистора как типового схемного элемента ИМС

В электрических схемах цифровых ИМС кроме активных элементов используются резисторы больших номиналов и конденсаторы. Резисторы являются нагрузками ключевых схем (инверторов), а конденсаторы находят применение при проектировании ячеек памяти запоминающих устройств.

Проектирование резисторов по аналогии с полупроводниковыми ИМС на биполярных транзисторах в МДП-ИМС является нецелесообразным по двум причинам: площадь диффузионного резистора большого номинала (>20кОм) почти на порядок превышает площадь активного МДП-прибора; паразитная емкость резистор-подложка диффузионного резистора значительна и существенно ухудшает частотные свойства схемы. Поэтому для получения высокой степени интеграции в МДП-ИМС в качестве резисторов нагрузки используют так называемые нагрузочные МДП-транзисторы. Эти транзисторы имеют конструкцию, сходную с МДП-транзисторами, работающими в активном режиме. Необходимый номинал резистора достигается подачей на затвор транзистора определенного потенциала и подбором геометрических размеров канала.

При необходимости спроектировать конденсатор в МДП-ИМС можно использовать емкость затвор-подложка или сток (исток)-подложка МДП-транзистора.

На основании изложенного можно утверждать, что МДП-транзистор является основным схемным элементом МДП-ИМС и может выполнять функции как активных, так и пассивных элементов. Это позволяет при проектировании МДП-ИМС обходиться только использованием МДП-транзисторов, конструктивные параметры и схема включения которых будут зависеть от выполняемой функции. [3]

Читайте также

Программно-аппаратный комплекс, позволяющий проводить эксперименты по одновременному управлению несколькими мобильными объектами
В настоящее время в области искусственного интеллекта (ИИ) происходят заметные преобразования. Источниками этих преобразований служат распределенный искусственный интеллект (РИИ), центра ...

Проектирование сетевого оборудования NGN
В настоящее время всё чаще встречаются публикации, посвящённые коренному преобразованию ТфОП и переходу к сети следующего поколения (NGN). Она позиционируется как универсальная сеть, спо ...

Поверка электронного вольтметра В7-26 по напряжению постоянного тока
Считается, что первый вольтметр изобрел М. Фарадей, причем в 1830 году, ещё за год до того, как он же открыл явление электромагнитной индукции, на котором основано действие целого класса ...

Основные разделы

Все права защищены! (с)2018 - www.generallytech.ru