В электрических схемах цифровых ИМС кроме активных элементов используются резисторы больших номиналов и конденсаторы. Резисторы являются нагрузками ключевых схем (инверторов), а конденсаторы находят применение при проектировании ячеек памяти запоминающих устройств.
Проектирование резисторов по аналогии с полупроводниковыми ИМС на биполярных транзисторах в МДП-ИМС является нецелесообразным по двум причинам: площадь диффузионного резистора большого номинала (>20кОм) почти на порядок превышает площадь активного МДП-прибора; паразитная емкость резистор-подложка диффузионного резистора значительна и существенно ухудшает частотные свойства схемы. Поэтому для получения высокой степени интеграции в МДП-ИМС в качестве резисторов нагрузки используют так называемые нагрузочные МДП-транзисторы. Эти транзисторы имеют конструкцию, сходную с МДП-транзисторами, работающими в активном режиме. Необходимый номинал резистора достигается подачей на затвор транзистора определенного потенциала и подбором геометрических размеров канала.
При необходимости спроектировать конденсатор в МДП-ИМС можно использовать емкость затвор-подложка или сток (исток)-подложка МДП-транзистора.
На основании изложенного можно утверждать, что МДП-транзистор является основным схемным элементом МДП-ИМС и может выполнять функции как активных, так и пассивных элементов. Это позволяет при проектировании МДП-ИМС обходиться только использованием МДП-транзисторов, конструктивные параметры и схема включения которых будут зависеть от выполняемой функции. [3]
Читайте также
Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование
В
данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования
для изучения характеристик традиционных полупроводник ...
Основы статистической теории радиолокации
Если
о сигнале все известно , то нет необходимости в его приеме, если о нем ничего
не известно, то его невозможно отличить от помех, и прием его невозможен.
Поэтому,
...
Проектирование САУ приводом наведения реактивной бомбометной установки РБУ-6000
Реактивные бомбометные установки РБУ-1000
"Смерч-2" и РБУ-6000 "Смерч-3" предназначенные для залповой
и одиночной стрельбы реактивными глубинными бомбами РГБ-60 ...