МДП-транзисторы, использование МДП-транзисторов

МДП-транзистор имеет 4 электрода, которые называют истоком, стоком, затвором и подложкой. Принцип действия МДП-транзистора основан на эффекте изменения электропроводности поверхностного слоя полупроводника между стоком и истоком под действием напряжения, приложенного к управляющему электроду (затвору), отделенного от поверхности полупроводника тонким диэлектрическим слоем. Участок полупроводника с изменяющейся электропроводностью называют каналом.

Существуют две разновидности МДП-транзисторов: с встроенным каналом и индуцированным каналом. В МДП-транзисторе с индуцированным каналом при нулевом напряжении на затворе канал отсутствует. Если увеличивать напряжение на затворе (по модулю), то при некотором значении напряжения на затвор-исток U0, называемом пороговым напряжением на поверхности полупроводника будет индуцироваться инверсный слой, тип электропроводности которого будет совпадать с типом электропроводности стока и истока. В результате образования этого слоя области стока и истока оказываются соединенными тонким токопроводящим каналом и во внешней цепи возникает ток.

Структура МДП-транзистора с встроенным каналом такова, что создание канала в тонком приповерхностном слое полупроводника предусматривается самой технологией производства. Поэтому конструкция такого транзистора будет отличаться от конструкции, приведенной на рисунке 1 изображением нижней границы канала сплошной линией.

Электропроводность канала обязательно совпадает с электропроводностью стока и истока. Поскольку электропроводность подложки обратна электропроводности канала, области стока, истока и канала отделены от подложки p-n-переходом. Ток в канале такого транзистора может возникать и при нулевом напряжении на затворе.

Рисунок 1 - МДП-транзистор со встроенным каналом (а) и его условное обозначение (б).

Исток и сток в принципе обратимы, их можно менять местами при включении транзистора в схему. В этом случае при симметричной структуре транзистора его параметры сохраняются, а при несимметричной структуре (сток и исток могут различаться формой, площадями) они будут различаться.

По электропроводности различают n-канальные и р-канальные транзисторы. Интегральные микросхемы, содержащие одновременно n-канальные и р-канальные транзисторы называются комплементарными (сокращенно КМДП-ИМС). Они отличаются высокой помехоустойчивостью, малой потребляемой мощностью, высоким быстродействием. Эти преимущества, однако, достигаются за счет более сложной технологии с меньшим выходом годных. [1]

Читайте также

Моделирование радиомаячной системы посадки метрового диапазона с помощью программы Micro-Cap
Функциональные возможности использования авиации во многом определяются качеством решения задач навигации, в частности, уровнем развития устройств и систем радионавигации. Под термино ...

Основы телефонной коммутации
История освоения направления телекоммуникационного оборудования началась в далеком 1992г., когда на развалинах Советского Союза небольшая группа инженеров-энтузиастов во главе с будущим ...

Особенности работы современного средства автоматической радиолокационной прокладки (САРП)
Устройство компьютерной индикации, совмещенное со средствами автоматической радиолокационной прокладки (САРП) и с электронной картографической системой, размещаемых в ходовой рубке судн ...