Устройство и принцип действия биполярных транзисторов

Рис. 3. Включение n-p-n-транзистора с общей базой (а) и с общим эмиттером (б)

Также существует схема включения транзистора с общим коллектором (ОК). Она обеспечивает усиление по току несколько большее, чем схема с общим эмиттером, имеет очень большое входное сопротивление и чаще всего используется в качестве развязывающего каскада, когда необходимо подключать к каскаду с высоким выходным сопротивлением каскад с низким входным сопротивлением.

Необходимо подчеркнуть, что биполярный транзистор представляет собой полупроводниковый прибор, управляемый входным током (током эмиттера или током базы). Это обусловлено малым входным сопротивлением транзистора, при котором трудно задать фиксированное входное напряжение.

Биполярный транзистор, как и любой другой электронный элемент, может работать в определенном диапазоне токов, напряжений и мощностей. Нельзя, например, превышать определенную величину тока коллектора или нельзя использовать транзистор при напряжении на коллекторе меньше определенной величины. Эти границы использования принято называть предельными или предельно допустимыми режимами. Предельный режим в отличие от предельно допустимого определяется только физической границей возникновения явления в транзисторе, которое делает его неработоспособным, т. е. предельный режим это физическая граница возможного использования. Однако из-за неизбежного разброса параметров полупроводниковых приборов, необходимости повышения надежности при эксплуатации на практике используется (приводится в ТУ и справочниках) предельно допустимый режим. Предельно допустимый режим - режимная граница использования транзистора, определяемая помимо физической границы некоторыми отображениями технико-экономического характера. На практике это означает введение коэффициента запаса.

Наиболее важными для эксплуатации полупроводниковых приборов параметрами являются максимально допустимые токи, напряжения и мощности.

Различают три разновидности структур транзисторов для интегральных микросхем: обычная планарная, горизонтальная (латеральная) и с вертикальными переходами. В обычной планарной структуре интегрального транзистора (рис. 4) топология которого была показана на рис., эмиттерный и коллекторный переходы, за исключением их границ, расположены параллельно поверхности пластины. В отличие от дискретных приборов, в которых коллекторный контакт размещен на обратной стороне пластины и служит местом присоединения транзистора к кристаллодержателю, в интегральных транзисторах все контакты выведены на планарную сторону.

Рис. 4. Структура обычного планарного транзистора в ИМС

Читайте также

Проектирование дискретного устройства
На современном этапе развития транспорта наблюдается бурный рост темпов и объемов перевозок, особенно на железнодорожном транспорте в силу высокой скорости и невысокой стоимости грузопер ...

Передаточная функция разомкнутой системы
1. Определить передаточную функцию разомкнутой системы рис.1, представить её в канонической .форме. Построить её логарифмические частотные характеристики. 2. Оценить показатели к ...

Применение пространственной фильтрации для улучшения радиоголографических изображений объектов, находящихся за препятствиями
В настоящее время активно развивается раздел науки, посвященный радиовидению. Это связано с тем, что радиовидение может найти свое применение в широкой сфере деятельности человека для об ...