Технический процесс изготовления приборов (ИМС) по КМДП технологии

Процесс изготовления ИМС состоит из определённого числа технологических операций и переходов, в результате которых из исходных материалов на пластине заданных размеров получаются готовые электронные функциональные устройства - микросхемы.

Специфической особенностью изготовления ИМС является интегрально - групповой метод производства. Суть его заключается в интеграции большого количества различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе - пластине и в интеграции технологических процессов (операций) при групповых методах их проведения. Это означает, что за один технологический цикл одновременно создаётся не один, а множество ИМС.

Последовательность технологических операций при формировании структуры КМДП по самосовмещённой технологии приведена в таблице 2.1. Самосовмещённая технология - это такая технология, когда длина каналов обоих типов электропроводности уменьшается за счёт использования технологии подлегирования через специально сформированную маску из поликристаллического кремния, который выполняет роль затвора.

Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем

№ п.п.	Наименование слоя	Номер фотошаблона	Номинальные параметры	Примечание
1	Исходный кристалл	-	КЭФ=4,5 (100) КЭФ=20 (100)
2	Первичный термический окисел	-	d=0,40ч0,50 мкм
3	Карман р-типа	1	Na=1·10 смЇі d=5ч8 мкм	Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину.
4	Диффузионные р-слои (исток, сток, охранная область)	2	rs=10ч25 Ом/ d=0,40ч0,50 мкм	Выполняют фотолитографию и диффузию.
5	Диффузионные n-слои (исток, сток, охранная область)	3	gs=10ч25 Ом/ d=1,4ч1,6 мкм
6	Тонкий оксид	4	d=0,09 ±0,01 мкм	Проводят фотолитографию. Выращивают тонкий слой окисла.
7	Поликристаллический кремний	5	d=0,3ч0,6 мкм	Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.
8	Подлегирование областей истока - стока р-канального транзистора	6	Na=1·10 смЇі d=0,4 мкм
9	Подлегирование областей истока - стока n-канального транзистора	7	Nд ≈1·10 смЇі d =0,4 мкм
10	Межслойный диэлектрик	-	d≈0,5 мкм
11	Контактные окна	8	4Ч4 мкм	Проводят фотолитографию - вскрытие окон под контакты.
12	Металлизация алюминием	9	d=1,2ч0,2 мкм	Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.
13	Диэлектрический защитный слой	10	d=0,5 ±0,2 мкм	Пассивация - нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.

Перейти на страницу: 1 2

Читайте также

Нанотехнологии в науке и технике
В течение тысячелетий человек использовал в быту и технике макроскопические тела, состоящие из большого числа атомов, будь это каменный топор или авиалайнер. Первая научно- ...

Проектирование мобильного включателя
В данном курсовом проекте разрабатывается мобильный включатель, который предназначен для дистанционного заблаговременного включения подогрева моторного отсека автомобиля, при хранении ав ...

Проектирование РЭА
При конструкторском проектировании РЭА (радиоэлектронной аппаратуры) решаются задачи, связанные с поиском наилучшего варианта конструкции, удовлетворяющего требованиям технического задан ...

Основные разделы