Технический процесс изготовления приборов (ИМС) по КМДП технологии

Процесс изготовления ИМС состоит из определённого числа технологических операций и переходов, в результате которых из исходных материалов на пластине заданных размеров получаются готовые электронные функциональные устройства - микросхемы.

Специфической особенностью изготовления ИМС является интегрально - групповой метод производства. Суть его заключается в интеграции большого количества различных и однотипных элементов на едином технологическом носителе - пластине и в интеграции технологических процессов (операций) при групповых методах их проведения. Это означает, что за один технологический цикл одновременно создаётся не один, а множество ИМС.

Последовательность технологических операций при формировании структуры КМДП по самосовмещённой технологии приведена в таблице 2.1. Самосовмещённая технология - это такая технология, когда длина каналов обоих типов электропроводности уменьшается за счёт использования технологии подлегирования через специально сформированную маску из поликристаллического кремния, который выполняет роль затвора.

Таблица 2.1 Перечень, последовательность и номинальные параметры слоёв микросхем

№ п.п.

Наименование слоя

Номер фотошаблона

Номинальные параметры

Примечание

1

Исходный кристалл

-

КЭФ=4,5 (100) КЭФ=20 (100)

2

Первичный термический окисел

-

d=0,40ч0,50 мкм

3

Карман р-типа

1

Na=1·10 смЇі d=5ч8 мкм

Выполняют фотолитографию «кармана» и двухстадийную диффузию «кармана» на необходимую глубину.

4

Диффузионные р-слои (исток, сток, охранная область)

2

rs=10ч25 Ом/ d=0,40ч0,50 мкм

Выполняют фотолитографию и диффузию.

5

Диффузионные n-слои (исток, сток, охранная область)

3

gs=10ч25 Ом/ d=1,4ч1,6 мкм

6

Тонкий оксид

4

d=0,09 ±0,01 мкм

Проводят фотолитографию. Выращивают тонкий слой окисла.

7

Поликристаллический кремний

5

d=0,3ч0,6 мкм

Наращивают специальную маску из поликристаллического кремния Si*.

8

Подлегирование областей истока - стока р-канального транзистора

6

Na=1·10 смЇі d=0,4 мкм

9

Подлегирование областей истока - стока n-канального транзистора

7

Nд ≈1·10 смЇі d =0,4 мкм

10

Межслойный диэлектрик

-

d≈0,5 мкм

11

Контактные окна

8

4Ч4 мкм

Проводят фотолитографию - вскрытие окон под контакты.

12

Металлизация алюминием

9

d=1,2ч0,2 мкм

Создание внутрисхемных соединений путём металлизации алюминием.

13

Диэлектрический защитный слой

10

d=0,5 ±0,2 мкм

Пассивация - нанесение защитного покрытия, в котором фотолитографией вскрывают окна под периферийные контактные площадки.

Перейти на страницу: 1 2

Читайте также

Передаточная функция разомкнутой системы
1. Определить передаточную функцию разомкнутой системы рис.1, представить её в канонической .форме. Построить её логарифмические частотные характеристики. 2. Оценить показатели к ...

Проектирование радиовещательного приемника
Теория и техника радиоприемника быстро совершенствуется. Это требует от специалистов постоянного изучения современной техники. Развитие радиоприемной аппаратуры характеризуется в осн ...

Проектирование системы автоматического управления очистки стекла спортивного самолета
Задачи по управлению тем или иным явлением или процессом, возникающие в повседневной практической деятельности человека обширны и многообразны. Управление можно определить как совоку ...

Основные разделы

Все права защищены! (с)2019 - www.generallytech.ru