Волокна с ненулевой смещенной дисперсией

Волокна с ненулевой смещенной дисперсией NZDSF (Non Zero Dispersion Shifted Fibers) - рек. МСЭ-Т G.655 - появились на рынке телекоммуникаций в 1993 г. [38, 48].

Данный тип оптических волокон характеризуется минимальным и максимальным значением хроматической дисперсии в спектральной области третьего окна прозрачности: 0,1…6 пс/(нм.км) в диапазоне длин волн 1530…1565 нм. Регистрация бизнеса в казахстане как открыть тоо регистрация тоо в рк leaubk.com.

Управление дисперсией также осуществляется путем формирования специальной W-образной формы профиля ОВ. Световоды с профилем подобной формы также называют волокнами с двойной оболочкой (рис. 5).

(а) (б)

Рис. 5. W-образный профиль волокон NZDSF Corningâ: (а) треугольный; (б) ступенчатый.

Таблица 4.

Волокна NZDSF были специально разработаны для применения на оптических сетях с последним поколением DWDM систем с оптическими усилителями. Отрицательное значение хроматической дисперсии достаточно велико, чтобы минимизировать нелинейный эффект четырехволнового смешения, и достаточно мало, чтобы выделить для каждого оптического канала скорость передачи в 10 Гбит/с на 250 км без установки компенсаторов дисперсии и проведения других специальных мероприятий.

В таблице 4. представлены ведущие производители оптических волокон NZDSF, а также их соответствующие торговые марки [48].

Читайте также

Передаточная функция разомкнутой системы
1. Определить передаточную функцию разомкнутой системы рис.1, представить её в канонической .форме. Построить её логарифмические частотные характеристики. 2. Оценить показатели к ...

Приемник многоканальной линии связи
Любое радиоприемное устройство включает в себя приемную антенну, радиоприемник и оконечное устройство, служащее для воспроизведения сигналов. Существует классификация радиоприемник ...

Разработка компьютерных аналогов схем исследования биполярных транзисторов
компьютерный программа полупроводниковый моделирование В данной работе исследуются возможности применения компьютерного моделирования для изучения характеристик традиционных полупроводник ...