Выбор селективных систем и расчет требуемой добротности контуров радиочастотного тракта

Задаемся ориентировочным числом одиночных контуров входной цепи и каскадов УРЧ, которые обеспечивают. Главным образом, избирательность по зеркальному каналу Nc=2. Определяем максимально допустимую добротность контуров Qп, обеспечивающую заданное ослабление на краях полосы пропускания:

где fmin-минимальная частота диапазона;

Прч-ширина полосы пропускания радиочастотного тракта;

Qп-ослабление на краях полосы пропускания, принятая для радиочастотного тракта (0÷2) дБ.

Необходимая добротность контуров Qи, обеспечивающая заданную избирательность по ЗК

,

где ;

Возможная эквивалентная конструктивная добротность с учетом шунтирующего действие входного сопротивления применяемого электронного прибора

,

где ш - коэффициент шунтирования контура электронным прибором;

Qк - конструктивная добротность контура.

Ориентировочное значение величин Qк=(60÷150), ш=(0,5÷0,8).

Так как

,

то эквивалентную добротность контуров Qэ необходимо принять равной или немного большей Qи.

Тогда примем Qэ=150, количество одиночных контуров примем равной 2 и Qк=160.

Проверим правильность выводов.

Расчётная избирательность по ЗК

Отсюда следует,, расчетное больше заданного , исходные данные выполнены.

Расчетное значение ослабление на краях полосы пропускания

Следовательно, технические условия полностью выполнены.

Читайте также

Разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа
Целью дипломного проектирование являлась разработка комплекта электрических схем маршрутной релейной централизации блочного типа (БМРЦ) для использования их студентами техникума в качест ...

Проектирование мобильного включателя
В данном курсовом проекте разрабатывается мобильный включатель, который предназначен для дистанционного заблаговременного включения подогрева моторного отсека автомобиля, при хранении ав ...

Проектирование двухвходовой КМОП-схемы дешифратора 2 в 4
КМОП (комплементарная логика на транзисторах металл-оксид-полупроводник; англ. CMOS, Complementary-symmetry/metal-oxide semiconductor) - технология построения электронных схем. В те ...